FACTORES QUE INFLUYEN EN LA ADOPCIÓN DE INNOVACIONES TIC A NIVEL DE PAIS. APLICACIÓN DEL MODELO PLS-SEM Y EFECTOS INDIRECTOS / FACTORS THAT INFLUENCE ICT ADOPTION AT THE COUNTRY LEVEL. PLS-SEM MODELLING AND INDIRECT EFFECTS

Rosa Jorda-Borrell, Javier Lopez-Otero, Gustavo Contreras-Cabrera

Resumen


Resumen.

 

Esta investigación ha modelizado los factores que influyen en la adopción de innovaciones TIC en las empresas, hipotetizando una red de relaciones directas e indirectas de factores, (coherentes con el modelo TOE), que ejercen influencia en sí mismos y en la adopción de ICT. Las hipótesis se probaron utilizando una muestra de empresas con información agregada a escala de país, y estimadas mediante PLS-SEM. Los resultados concluyeron que la adopción de TIC se explica por el grado de globalización de los países, el acceso a las capacidades TIC en el país, debido a su papel transmisor  de los efectos indirectos  de los otros factores. La influencia indirecta resultó ser más importante que la directa.

 

 

Palabras clave: Adopción de  Innovaciones, Entorno-Tecnología-Organización (TOE); Globalización, Efectos Indirectos, PLS-SEM.

 

 

Abstract.

 

This research models the factors influencing ICT innovation adoption in companies, hypothesizing a network of direct and indirect relations of factors, (consistent with TOE model), which channels influence on themselves and on ICT adoption. The hypotheses were tested using a sample of firms with aggregate information at the state level, and were estimated using PLS-SEM. The main results were that ICT adoption is very influenced by the extent of countries’ globalization, and the accessibility to ICT capabilities of the country due to its important transmitting role of indirect effects from the other factors. The aggregated indirect influence of factors in the model was more important than the direct influence.



Palabras clave


Adopción de Innovaciones; Globalización; PLS-SEM; Efectos Indirectos;

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DOI: http://dx.doi.org/10.33776/rem.v0i50.3901

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e-ISSN:2340-4264   -   ISSN: 1576-0162

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